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电子元器件详细资料 » IC[21532] » IXFT12N100Q
型号:IXFT12N100Q类别:FET - 单制造商:IXYS
封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO268

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
系列HiPerFET™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流_连续漏极(Id)0a025000C12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.05 欧姆 @ 6A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225.5V @ 4mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs90nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2900pF @ 25V
功率_最大300W
安装类型通孔
封装/外壳TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA
供应商设备封装TO-268
包装管件

供应商

锦迅科技(香港)有限公司马小姐086-0755-83226745/82584980
深圳市欧立现代科技有限公司林小姐 胡先生 张先生0755-83222787/23999932
深圳勤思达科技有限公司吴086-0755-83268779
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
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